英特尔下半年推相变内存 速度提升1000倍
 英特尔日前表示,今年下半年将向设备制造商提供新一代相变内存样品.据英国媒体报道,新一代 相变内存是一种非易失性的内存产品,它集DRAM内存的高速存取,以及闪存在关闭电源后保留数据的特性为一体,因此被业界视为未来DRAM和闪存的替代品.
英特尔闪存部门首席技术官Ed Doller称:“从理想的角度讲,人们需要一种非易失性DRAM产品,而相变内存就十分接近于该目标.”
Doller还称,相变内存的读写速度相当于闪存的1000多倍,而能耗只有当前闪存的1/2.目前,英特尔正与意法半导体携手开发相变内存.
消息来源:Ccidnet 本文出自 51CTO.COM技术博客 |
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